Infineon IRFHM830TR2PBF

Name: Infineon IRFHM830TR2PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFHM830TR2PBF

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package

$ 1.12

Obsolete

制造商页面数据表

价格与库存

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFHM830TR2PBF	0	800	Bulk				1.120	0.784	7h
Farnell	IRFHM830TR2PBF	0	1		0.709*	0.709*	0.641*	0.458*	0.458*	14h
Microchip USA	IRFHM830TR2PBF	268	150	Tray				10.920	10.920	8h
Component Stockers USA	IRFHM830TR2PBF	311			99.990	99.990	99.990	99.990	99.990	2d
Worldway Electronics	IRFHM830TR2PBF	12,865	7	Tape & Reel		0.330	0.320	0.303	0.303	14h

数据表和文档

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IHS

Datasheet10 页0 年前

Datasheet9 页11 年前

element14 APAC

Farnell

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来源	eCAD	mCAD	文件
EE Concierge	符号封装

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-09-09

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Infineon IRFHM830TR2PBF 的描述。

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package

International Rectifier

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

Verical

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET,W DIODE,N CH,30V,21A,PQFN33; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.003ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2.7W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Voltage Vgs Max:20V

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