Infineon IRFH8325TR2PBF

Name: Infineon IRFH8325TR2PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFH8325TR2PBF

N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 21A, PQFN-8; Transistor Polarity: N Channel; Cont

$ 0.77

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFH8325TR2PBF	0	125	Bulk				0.770	0.660	21h
Microchip USA	IRFH8325TR2PBF	116	300					9.815	9.815	3h
Win Source	WS-IRFH8325TR2PBF	16,000	100				0.605	0.404	0.404	10h
Worldway Electronics	IRFH8325TR2PBF	12,158	7	Tape & Reel		0.816	0.801	0.770	0.755	9h
ICPartonline	IRFH8325TR2PBF	33,124			4.000	3.800	3.600	3.400	3.200	>1wk

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IHS

Datasheet10 页12 年前

Datasheet9 页12 年前

element14 APAC

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-04-22

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2014-05-12

LTD Date2014-11-12

描述

由其分销商提供的 Infineon IRFH8325TR2PBF 的描述。

N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 21A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Cont

Newark

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package

International Rectifier

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R

Verical

MOSFET N-Channel 30V 21A HEXFET PQFN8EP

RS (Formerly Allied Electronics)

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET,N CH,W DIODE,30V,25A,PQFN56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0041ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:54W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:QFN; No. of Pins:8; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011)

Farnell