Vishay SI7611DN-T1-GE3

P-Channel 40 V 0.025 Ohm 39 W Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
Datasheet

Preço e estoque

Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados

Especificações técnicas

Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)-9.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance21 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-40 V
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.98 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Operating Temperature-50 °C
Nominal Vgs-3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max25 mΩ
Resistance25 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length3.05 mm
Width3.05 mm

Documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SI7611DN-T1-GE3.

Farnell
Datasheet13 pages11 years ago
Datasheet13 pages8 years ago
Datasheet13 pages9 years ago
Datasheet13 pages10 years ago
element14 APAC
Datasheet13 pages7 years ago
RS (Formerly Allied Electronics)
Datasheet13 pages8 years ago
Newark
Datasheet13 pages9 years ago
iiiC
Datasheet13 pages11 years ago

Histórico de estoque

3 month trend:
-6.32%

Engineering Resources

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Peças relacionadas

Descrições

Descrições de Vishay SI7611DN-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.

P-Channel 40 V 0.025 Ohm 39 W Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
Transistor MOSFET P-CH 40V 9.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
P Channel Mosfet, -40V, 18A, Powerpak, Full Reel; Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:18A; On Resistance Rds(On):0.021Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: No

Nomes alternativos do fabricante

Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • VISHA
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Intertech
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VSHAY
  • VISHAY ELECTRONIC
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Intertechnologies
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY PRECISION GROUP
  • VISHAY AMERICAS
  • Vishay Intertechnology Inc.

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • SI7611DN-T1-GE3.

Especificações técnicas

Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)-9.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance21 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-40 V
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.98 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Operating Temperature-50 °C
Nominal Vgs-3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max25 mΩ
Resistance25 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length3.05 mm
Width3.05 mm

Documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SI7611DN-T1-GE3.

Farnell
Datasheet13 pages11 years ago
Datasheet13 pages8 years ago
Datasheet13 pages9 years ago
Datasheet13 pages10 years ago
element14 APAC
Datasheet13 pages7 years ago
RS (Formerly Allied Electronics)
Datasheet13 pages8 years ago
Newark
Datasheet13 pages9 years ago
iiiC
Datasheet13 pages11 years ago

Conformidade

Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnknown
RoHSCompliant
Declarações de conformidade
Rohs Statement5 pages12 years ago