Vishay TEMT1020
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Descrições
Descrições de Vishay TEMT1020 fornecidas pelos seus distribuidores.
ROHS COMPLIANT, SILICON NPN PHOTOTRANSISTOR Photo Transistor, 880nm, 0.05A I(C)
VISHAY SEMICONDUCTOR TEMT1020 PHOTOTRANSISTOR, NPN, OPTICAL SENSOR
50mA NPN 70V 100mW 200nA 880nm ±15° -40℃~+85℃ SMD,2x2.5mm Phototransistors ROHS
950 nm ± 15° Half Sensitivity SMT Silicon NPN Phototransistor SMD-2 Package
No Phototransistor IR Chip Silicon 950nm 2-Pin SMD T/R
OptoCouplers & OptoIsolators NPN Phototransistor
IR Phototransistor 880 nm 70 V SMD
PHOTO TRANS. SMD GULLWING FILTR-e3
PHOTOTRANSISTOR 730 TO 1000 NM
PHOTOTRANSISTOR, NPN, OPTICAL SENSOR; Transistor Polarity:NPN; Wavelength Typ:880nm; Power Consumption:100mW; Viewing Angle:15°; Transistor Case Style:SMD; No. of Pins:2; MSL:MSL 2 - 1 year; Current Ic Typ:7mA; Half Angle:15°; Nom Sensitivity @ mW/cm²:7mA @ 1mW / cm²; Operating Temperature Range:-40°C to +85°C; Package / Case:TO-5; Peak Spectral Response Wavelength:950nm; Rise Time:2µs; Transistor Type:Photo; Voltage Vcc:5V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins2
ShapeRound
Technical
Ambient Temperature Range High85 °C
Collector Emitter Breakdown Voltage70 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)70 V
Dark Current200 nA
Fall Time2.3 µs
Lens StyleDomed
Max Breakdown Voltage70 V
Max Collector Current50 mA
Max Junction Temperature (Tj)100 °C
Max Operating Temperature85 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Operating Supply Current7 mA
OrientationTop View
Output Power100 mW
Peak Wavelength880 nm
PolarityNPN
Power Consumption100 mW
Power Dissipation100 mW
Rise Time2 µs
Schedule B8541407080
Viewing Angle30 °
Wavelength880 nm
Dimensions
Height2.98 mm
Length2.5 mm
Width2 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade