Vishay TEMT1000
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.70.80
Introduction Date1999-12-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
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Descrições
Descrições de Vishay TEMT1000 fornecidas pelos seus distribuidores.
TEMT1000 Series 880 nm +/-15° 70 V 200 nA 180 kHz NPN Phototransistor
PHOTO TRANSISTOR; Transistor Polarity:NPN; Wavelength Typ:880nm; Power Consumption:100mW; Viewing Angle:15°; No. of Pins:2; MSL:MSL 2 - 1 year; Current Ic Typ:50mA; Half Angle:15°; Operating Temperature Range:-40°C to +85°C; Peak Spectral Response Wavelength:880nm; Rise Time:2µs; Transistor Type:Photo
Photo Transistor; Wavelength Typ:880nm; Power Consumption:100mW; Viewing Angle:15°; No. of Pins:2; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):No ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -17.18%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins2
ShapeRound
Technical
Ambient Temperature Range High85 °C
Collector Emitter Breakdown Voltage70 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)70 V
Dark Current200 nA
Fall Time2.3 µs
Lens StyleDomed
Max Breakdown Voltage70 V
Max Collector Current50 mA
Max Junction Temperature (Tj)100 °C
Max Operating Temperature85 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
OrientationTop View
Peak Wavelength880 nm
PolarityNPN
Power Consumption100 mW
Power Dissipation100 mW
Rise Time2 µs
Schedule B8541407080
Viewing Angle30 °
Wavelength880 nm
Dimensions
Height1.5 mm
Length2.5 mm
Width2 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade