Vishay SUP57N20-33-E3
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-01-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFB260NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 56A;TO-220AB;PD 380W;VGS +/-20V
InfineonIRFB4227PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 19.7 Milliohms;ID 65A;TO-220AB;PD 330W
InfineonIRF3415PBF
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Descrições
Descrições de Vishay SUP57N20-33-E3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 200 V 0.033 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 200V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 200V, 57A, 175Deg C, 300W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:57A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Vishay SUP57N20-33-E3
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +3.42%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)57 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance33 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time200 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max33 mΩ
Resistance33 mΩ
Rise Time220 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade