onsemi FDP61N20
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-09-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi FDP61N20 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 200V, 61A, 41mΩ, TO-220
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 38.5A; 417W; TO220; UniFET™
MOSFET N-CH 200V 61A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)61 A
Current61 A
Current Rating61 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance41 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time170 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.38 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation417 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation417 W
Rds On Max41 mΩ
Resistance41 MΩ
Rise Time215 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time125 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Voltage200 V
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade