onsemi FDD050N03B
Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Flip Electronics | FDD050N03B | 9.670 | 6d | |||||||||
| Avnet | FDD050N03B | 0 | 2174 | 15h | ||||||||
| Microchip USA | FDD050N03B | 149 | 3500 | Bulk | 5h | |||||||
| Component Stockers USA | FDD050N03B | 1.197 | 1d | |||||||||
| Win Source | WS-FDD050N03B | 10.300 | 140 | 14h |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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Descrições
Descrições de onsemi FDD050N03B fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 90A, 5.0mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
30V, 90A, 5 mohm, NCH ,POWER TRENCH MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Fet 30V 5.0 Mohm Dpak/Reel |Onsemi FDD050N03B
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance2.875 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation65 W
Rds On Max5 mΩ
Rise Time4.5 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time14.5 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade