Vishay SQ2310ES-T1_GE3
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SQ2310ES-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SQ2310ES-T1-GE3 | 0 | 3K | 3d | ||||||||
| TTI Asia | SQ2310ES-T1-GE3 | Contato | 9h | |||||||||
| TTI Europe | SQ2310ES-T1/GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 20h | |||||||
| element14 APAC | SQ2310ES-T1_GE3 | 0 | 1 | Cut Tape | 6h |
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SQ2310ES-T1_GE3.
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-03-01
LTD Date2024-08-27
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMG2305UX-7
P-Channel 20 V 52 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Diodes Inc.DMG2305UX-13
P-Channel 20 V 65 Ohms Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
InfineonIRFML8244TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Descrições
Descrições de Vishay SQ2310ES-T1_GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 20 V 0.042 Ohm 8.5 nC 2 W Silicon Mosfet - SOT-23
Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET, N-CH, 20V, 6A, SOT-23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 600mV; Powe
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance485 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max30 mΩ
Resistance30 mΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage600 mV
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade