Diodes Inc. DMG2305UX-7
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | DMG2305UX-7 | 4 | 4 | |||||||||
| Future Electronics | DMG2305UX-7 | 309.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| TME | DMG2305UX-7 | 0 | 1 | 17h | ||||||||
| Newark | DMG2305UX-7 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Conrad | 3409572 | 2.701 | 29m |
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6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-20 V
Continuous Drain Current (ID)
4.2 A
4.2 A
Threshold Voltage
-900 mV
-900 mV
Rds On Max
52 mΩ
52 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
1.4 W
1.4 W
Input Capacitance
808 pF
808 pF
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InfineonBSS806NEH6327XTSA1
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.057ohm; 0.5W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23; AEC-Q100
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Diodes Inc.DMN2004K-7
DMN2004K Series N-Channel 20 V 0.55 Ohm MosFet Surface Mount - SOT-23-3
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMG2305UX-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel 20 V 52 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Mosfet Bvdss: 8V-24V Sot23 T&r 3K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG2305UX-7
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance52 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time34.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance808 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.4 W
Rds On Max52 mΩ
Resistance52 MΩ
Rise Time13.7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-900 mV
Turn-Off Delay Time79.3 ns
Turn-On Delay Time10.8 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade