Vishay SISA10DN-T1-GE3
$ 0.511
NRND
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SISA10DN-T1-GE3CT-ND | 1.624 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SISA10DN-T1-GE3 | 0 | 1 | 21h | ||||||||
| TTI | SISA10DN-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 2h | |||||||
| Newark | SISA10DN-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | SISA10DN-T1-GE3 | 0 | 3K | Bulk | 16h |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-20
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
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Automotive Q101 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Descrições
Descrições de Vishay SISA10DN-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
SEMICONCUCTOR, MOSFET;TRENCHFET;N-CHANNEL;30V;30A;3.7MOHM @ 10V;POWERPAK 1212-8
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 30A, POWERPAK 12
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Vishay NMOS TrenchFET, Vds=30 V, 30 A, PowerPAK 1212-8, , 8
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.425 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max3.7 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.1 V
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.4 mm
Width3.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade