Vishay SIR882DP-T1-GE3

SiR882DP Series 100 V 8.7 mOhm SMT N-Channel Mosfet - PowerPAK® SO-8
$ 1.24
NRND
Página do fabricanteFicha de dados

Preço e estoque

Ver todas as reduções de preço
DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsSIR882DP-T1-GE33.0003K
VericalSIR882DP-T1-GE33.0003K
DigiKey
3
SIR882DP-T1-GE3CT-ND12.8101Cut Tape
TTISIR882DP-T1-GE36.0003KTape & Reel
8h
TME
2
SIR882DP-T1-GE303K
19h

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SIR882DP-T1-GE3.

Farnell

Datasheet13 páginas11 anos atrás
Datasheet13 páginas11 anos atrás

element14 APAC

Newark

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:
+60.26%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Vishay SIR882DP-T1-GE3 direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
Component Search Engine
SímboloPegada
3DBaixar
Ultra Librarian
SímboloPegada
Baixar
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-07
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Peças relacionadas

VishaySIR882ADP-T1-GE3
Single N-Channel 100V 0.0087 Ohm Medium Voltage ThunderFET® Mosfet PowerPAK-SO-8
Detalhes
VishaySIR804DP-T1-GE3
MOSFET,N CH,W DIODE,100V,60A,PPAK8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Detalhes
VishaySIR880ADP-T1-GE3
N-Channel 80 V 8.9 mOhm 83 W SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Detalhes
InfineonAUIRLR3110Z
AUIRLR3110Z N-channel MOSFET Transistor, 63 A, 100 V, 3-Pin TO-252AA
Detalhes

Descrições

Descrições de Vishay SIR882DP-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.

SiR882DP Series 100 V 8.7 mOhm SMT N-Channel Mosfet - PowerPAK® SO-8
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 100V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Avnet
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
DigiKey
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.0087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
5.4W(Ta),83W(Tc) 20V 2.8V@ 250¦ÌA 58nC@ 10 V 1N 100V 8.7m¦¸@ 20A,10V 60A 1.93nF@50V 4.9mm*5.89mm*1.07mm
UnikeyIC
MOSFET,N CH,DIODE,100V,60A,PPAKSO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):7100µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:5.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:17.6A; Power Dissipation Pd:5.4W; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Imagens

Farnell
element14 APAC
Newark
Future Electronics

Nomes alternativos do fabricante

Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric