Vishay SIR882ADP-T1-GE3
$ 1.454
NRND
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SIR882ADP-T1-GE3 | 30.000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | SIR882ADP-T1-GE3 | 3.130 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SIR882ADP-T1-GE3 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | SIR882ADP-T1-GE3 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | SIR882ADP-T1-GE3 | 15.000 | 3K | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-15
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
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InfineonBSC072N08NS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 74A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R, PG-TDSON-8, RoHS
International RectifierAUIRFS4310TRL
Trans MOSFET N-CH Si 100V 130A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Descrições
Descrições de Vishay SIR882ADP-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 100V 0.0087 Ohm Medium Voltage ThunderFET® Mosfet PowerPAK-SO-8
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 60 A, 0.0087 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
MOSFET, N-CH, 100V, 60A, POWERPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0072ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Mosfet, N Channel, 100V, 60A, Powerpak So-8, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:60A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:83W Rohs Compliant: Yes |Vishay SIR882ADP-T1-GE3.
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +18.18%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance8.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.975 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Manufacturer Package IdentifierS17-0173-Single
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5.4 W
Rds On Max8.7 mΩ
Resistance8.7 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade