Vishay SIR800DP-T1-GE3

20V, 50A, 2.3mohm, TrenchFET® power MOSFET, N-Channel, PowerPAK SO-8
$ 0.71
Production

Preço e estoque

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SIR800DP-T1-GE3.

IHS

Datasheet13 páginas11 anos atrás

element14 APAC

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:
-6.52%

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Vishay SIR800DP-T1-GE3 direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
Component Search Engine
SímboloPegada
3DBaixar
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Peças relacionadas

Single N-Channel 20 V 3.5 mOhm 52 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
P-Channel 20 V 3.9 mO 183 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
onsemiFDMS8560S
Trans MOSFET N-CH Si 25V 30A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN
Single N-Channel 25 V 1.8 mOhm 105 nC 83 W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8
onsemiFDD3706
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 50A; 0.009ohm; 44W; -55+175 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
N-CH MOSFET SO-8 BWL 20V 2.5MOHM @10V - LEAD(PB) AND HALOGEN FREE

Descrições

Descrições de Vishay SIR800DP-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.

20V, 50A, 2.3mohm, TrenchFET® power MOSFET, N-Channel, PowerPAK SO-8
20V 50A 2.3m´Î@10V15A 5.2W 1.5V@250Ã×A N Channel PowerPAK SO-8 MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 35.4A I(D), 20V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
5.2W(Ta),69W(Tc) 12V 1.5V@ 250¦ÌA 133nC@ 10 V 1N 20V 2.3m¦¸@ 15A,10V 50A 5.125nF@10V 4.9mm*5.89mm*1.04mm
MOSFET,N CH,DIODE,20V,50A,PPAKSO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):1900µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:5.2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:35.4A; Power Dissipation Pd:5.2W; Voltage Vgs Max:12V

Nomes alternativos do fabricante

Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric