onsemi FDMS8560S
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Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-01-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2020-10-09
LTD Date2021-04-09
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
InfineonBSZ013NE2LS5IATMA1
Mosfet, N-Ch, 25V, 150Deg C, 69W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSZ013NE2LS5IATMA1
InfineonBSZ017NE2LS5IATMA1
Mosfet, N-Ch, 25V, 40A, Tsdson-Fl Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSZ017NE2LS5IATMA1
Descrições
Descrições de onsemi FDMS8560S fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH Si 25V 30A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN
N-CHANNEL POWERTRENCH SYNCFET Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 25V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel SyncFET™ is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight90 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance1.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance4.35 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max1.8 mΩ
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5.1 mm
Width5.85 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade