Vishay SIR426DP-T1-GE3
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO / Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Descrições
Descrições de Vishay SIR426DP-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 40 V 12.5 mOhm 9.3 nC 41.7 W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8
Trans MOSFET N-CH 40V 15.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
MOSFET, N CH, 40V, 30A, PPAK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):8.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:41.7W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:30A; Power Dissipation Pd:41.7W; Voltage Vgs Max:20V
N Channel Mosfet, 40V, 30A; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:30A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V; No. Of Pins:8Pinsrohs Compliant: Yes |Vishay SIR426DP-T1-GE3.
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +386%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance10.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.16 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation41.7 W
Manufacturer Package IdentifierS17-0173-Single
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation4.8 W
Rds On Max10.5 mΩ
Resistance12.5 MΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade