Vishay SIHG22N60E-GE3
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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E-Series N-Ch 650 V 0.145 Ohm Flange Mount High Voltage Power Mosfet - TO-247AC
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Mosfet, N-Ch, 500V, 26A, To-247Ac Rohs Compliant: Yes |Vishay SIHG25N50E-GE3
STMicroelectronicsSTW26NM60ND
N-channel 600 V, 0.145 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW24N60DM2
N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
Descrições
Descrições de Vishay SIHG22N60E-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
E-Series N-Channel 600 V 227 W 0.18 O 86 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS
227W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 86nC@ 10 V 1N 600V 180m¦¸@ 11A,10V 21A 1.92nF@100V TO-247AC 15.87mm*5.31mm*20.82mm
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.25%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time54 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.92 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation227 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation227 W
Rds On Max180 mΩ
Resistance180 mΩ
Rise Time68 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time59 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height20.82 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade