Vishay SI8806DB-T2-E1
$ 0.233
NRND
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI8806DB-T2-E1CT-ND | 7.645 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI8806DB-T2-E1 | 0 | 3K | Tape & Reel | 5h | |||||||
| Future Electronics | SI8806DB-T2-E1 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SI8806DB-T2-E1 | 0 | 3K | 3d | ||||||||
| TTI Asia | SI8806DB-T2-E1 | Contato | 19h |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -36.58%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SI8806DB-T2-E1.
Peças relacionadas
VishaySI8406DB-T2-E1
VISHAY SI8406DB-T2-E1 MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 20 V, 0.026 ohm, 4.5 V, 400 mV
VishaySI8472DB-T2-E1
780mW(Ta) 8V 900mV@ 250¦ÌA 18nC@ 8 V 1N 20V 44m¦¸@ 1.5A,4.5V 630pF@10V BGA 960¦Ìm*960¦Ìm*260¦Ìm
Descrições
Descrições de Vishay SI8806DB-T2-E1 fornecidas pelos seus distribuidores.
VISHAY SI8806DB-T2-E1 MOSFET Transistor, N Channel, 3.9 A, 12 V, 0.035 ohm, 4.5 V, 400 mV
Single N-Channel 12 V 0.9 W 17 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICRO-FOOT
500mW(Ta) 8V 1V@ 250¦ÌA 17nC@ 8 V 1N 12V 43m¦¸@ 1A,4.5V MICROFOOT-4 800¦Ìm*800¦Ìm*200¦Ìm
Trans MOSFET N-CH 12V 3.9A 4-Pin Micro Foot T/R
Small Signal Field-Effect Transistor
MOSFET, N-CH, 12V, MICROFOOT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):0.035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:900mW; Operating Temperature Min:-50°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:MICRO FOOT; No. of Pins:4; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-50°C to +150°C
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -36.58%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageBGA
MountSurface Mount
Number of Pins4
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.9 A
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation900 mW
Rds On Max43 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage400 mV
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height213 µm
Length840 µm
Width840 µm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SI8806DB-T2-E1.
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade