Vishay SI7884BDP-T1-GE3
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NRND
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | SI7884BDP-T1-GE3 | 722 | 8 | |||||||||
| Arrow Electronics | SI7884BDP-T1-GE3 | 722 | 1 | |||||||||
| DigiKey | SI7884BDP-T1-GE3CT-ND | 5.138 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7884BDP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 5h | |||||||
| Newark | SI7884BDP-T1-GE3 | 0 | 3K | Cut Tape |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Stock
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150,210
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
58 A
58 A
Threshold Voltage
3 V
-
Rds On Max
7.5 mΩ
7.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
4.6 W
4.6 W
Input Capacitance
3.54 nF
3.54 nF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-17
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
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Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF8113TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
InfineonIRF8113PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Descrições
Descrições de Vishay SI7884BDP-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 40 V 0.0075 Ohm 46 W Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:58000mA; Drain Source Voltage, Vds:40V; On Resistance, Rds(on):0.009ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:4.6W ;RoHS Compliant: Yes
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R / MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)58 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.54 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation46 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation4.6 W
Rds On Max7.5 mΩ
Resistance7.5 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade