Vishay SI7772DP-T1-GE3
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI7772DP-T1-GE3CT-ND | 2.820 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7772DP-T1-GE3 | 36.000 | 3K | Tape & Reel | 13h | |||||||
| TME | SI7772DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 23h | ||||||||
| Newark | SI7772DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Future Electronics | SI7772DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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SI7114ADN-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 18 A, 30 V, 8-PIN POWERPAK 1212
Descrições
Descrições de Vishay SI7772DP-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
VISHAY SI7772DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 35.6 A, 30 V, 0.0105 ohm, 10 V, 2.5 V
Single N-Channel 30 V 13 mOhm SMT TrenchFET Gen III Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:35.6A; On Resistance Rds(On):0.0105Ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V Rohs Compliant: Yes |Vishay SI7772DP-T1-GE3.
MOSFET,N CH,SC DIO,30V,35.6A,SO8PPAK; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):10500µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:3.9W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:12.9A; Power Dissipation Pd:3.9W; Voltage Vgs Max:20V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.084 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation29.8 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation3.9 W
Rds On Max13 mΩ
Resistance13 MΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade