Vishay SI7738DP-T1-GE3
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6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
7.7 A
7.7 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
38 mΩ
38 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
5.4 W
5.4 W
Input Capacitance
2.1 nF
2.1 nF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Vishay SI7738DP-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R / MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 30 A, 0.031 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 150V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 30A, POWERPAK SO;
N-CH WFET POWERPAK SO-8 150V 38MOHM @ 10V
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:30000mA; Drain Source Voltage, Vds:150V; On Resistance, Rds(on):0.038ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V; Power Dissipation, Pd:5.4W ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance38 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5.4 W
Rds On Max38 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade