Vishay SI7655ADN-T1-GE3
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Descrições
Descrições de Vishay SI7655ADN-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
20V 40A 3.6m´Î@10V20A 57W 1.1V@250Ã×A P Channel PowerPAK 1212-8S MOSFETs ROHS
Trans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Avnet Japan
MOSFET -20V .0036ohm@-10V -40A P-Ch T-FET
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 20V, 0.0036ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
4.8W(Ta),57W(Tc) 12V 1.1V@ 250¦ÌA 225nC@ 10 V 1P 20V 3.6m¦¸@ 20A,10V 40A 6.6nF@10V 3.3mm*3.3mm*780¦Ìm
P-CH POWERPAK 1212-8 BWL 20V 3.6MOHM @ 10V
Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:40A; On Resistance Rds(On):0.003Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-; No. Of Pins:8Pinsrohs Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -45.94%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance3.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance6.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation4.8 W
Rds On Max3.6 mΩ
Resistance3 mΩ
Rise Time45 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height830 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade