Vishay SI7629DN-T1-GE3
$ 0.575
NRND
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI7629DN-T1-GE3CT-ND | 7.809 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7629DN-T1-GE3 | 6.000 | 3K | Tape & Reel | 3h | |||||||
| TME | SI7629DN-T1-GE3 | 0 | 1 | 13h | ||||||||
| Future Electronics | SI7629DN-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SI7629DN-T1-GE3 | 0 | 3K | 3d |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -20.50%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SI7629DN-T1-GE3.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-16
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
VishaySISS23DN-T1-GE3
SISS23DN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 27 A; 20 V; 8-Pin PowerPAK 1212
InfineonIRFH4234TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFHM4231TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PG-TSDSON-8, RoHS
Descrições
Descrições de Vishay SI7629DN-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel 20 V 4.6 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 20V, 0.0046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:21.3A; On Resistance Rds(On):0.0038Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V Rohs Compliant: No
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -20.50%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Resistance4.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance5.79 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max4.6 mΩ
Resistance4.6 mΩ
Schedule B8541290080
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SI7629DN-T1-GE3.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade