Vishay SI7465DP-T1-GE3
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | SI7465DP-T1-GE3 | 6.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | SI7465DP-T1-GE3 | 6.000 | 3K | |||||||||
| Rutronik | LVMOS1526 | 3.000 | 3K | 23h | ||||||||
| DigiKey | SI7465DP-T1-GE3CT-ND | 9.237 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7465DP-T1-GE3 | 18.000 | 3K | Tape & Reel | 17h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Stock
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836,037
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
-60 V
-60 V
Continuous Drain Current (ID)
3.2 A
3.2 A
Threshold Voltage
-3 V
-3 V
Rds On Max
64 mΩ
64 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.5 W
1.5 W
Input Capacitance
-
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-10-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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DMN6070 Series 60 V 3.3 A 80 mOhm Dual N-Ch. Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Descrições
Descrições de Vishay SI7465DP-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R / MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3.2 A, 0.051 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
COMPLEMENTARY MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-60V; Continuous Drain Current, Id:-5A; On Resistance, Rds(on):0.08ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, P CHANNEL, -60V, 5A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.051ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Dissipation Pd:1.5W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:-
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -10.44%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance64 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.5 W
Manufacturer Package IdentifierS17-0173-Single
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max64 mΩ
Resistance64 MΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade