Vishay SI4599DY-T1-GE3
$ 0.408
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI4599DY-T1-GE3 | 4 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SI4599DY-T1-GE3 | 2.292 | 94 | |||||||||
| Future Electronics | SI4599DY-T1-GE3 | 2.500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Rutronik | TMOSP10384 | 10.000 | 2500 | 17h | ||||||||
| TME | SI4599DY-T1-GE3 | 2.292 | 1 | 9h |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -29.52%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF7201TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.03Ohm;ID 7.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55d
InfineonIRF7201PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.03Ohm;ID 7.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55d
Descrições
Descrições de Vishay SI4599DY-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
SI4599DY-T1-GE3 DUAL N/P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,4.7 A,6.8 A,40V,8-PIN SOIC
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/5.8A 8-Pin SOIC N T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -29.52%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight540.001716 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance35.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance640 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation2 W
Rds On Max35.5 mΩ
Resistance45 mΩ
Rise Time33 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.4 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time44 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade