Vishay SI4459ADY-T1-GE3
$ 0.84
NRND
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 23T8508 | 150 | 1 | 2d | ||||||||
| Newark | SI4459ADY-T1-GE3 | 150 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SI4459ADY-T1-GE3 | 150 | 129 | |||||||||
| Arrow Electronics | SI4459ADY-T1-GE3 | 972 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | SI4459ADY-T1-GE3 | 2.500 | 2500 | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | 3D | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-29
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7832PBF
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Descrições
Descrições de Vishay SI4459ADY-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel 30 V 0.005 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R / MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC
Small Signal Field-Effect Transistor, 29A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET,P CH,DIODE,30V,29A,8-SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):3900µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:3.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-19.7A; Power Dissipation Pd:3.5W; Voltage Vgs Max:-20V
P Channel Mosfet, -30V, 29A, Soic, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:29A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V Rohs Compliant: Yes |Vishay SI4459ADY-T1-GE3.
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +53.70%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)19.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation7.8 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-2.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max5 mΩ
Resistance5 MΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2.5 V
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade