Vishay SI3458BDV-T1-GE3
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Authorized Distributors
6
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TSOP
TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
3.2 A
3.2 A
Threshold Voltage
3 V
3 V
Rds On Max
100 mΩ
100 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
350 pF
350 pF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13
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InfineonBSL606SNH6327XTSA1
2KW 20V 2.3V 4.1nC@ 5V 1N 60V 60m¦¸@ 10V 170mA 566pF@ 25V TSOP-6-6 , 3mm*1.5mm*1.1mm
InfineonIRFTS8342TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
InfineonIRFTS9342TRPBF
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
Descrições
Descrições de Vishay SI3458BDV-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 60 V 0.01 Ohm 3.3 W Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R / MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
N Ch Mosfet, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:3.2A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Power Dissipation:2W Rohs Compliant: No |Vishay SI3458BDV-T1-GE3.
60V 4.1A 2W 100m´Î@10V3.2A 3V@250Ã×A N Channel TSOP-6 MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
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Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
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1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight19.986414 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance350 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.3 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation2 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.05 mm
Width1.65 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade