Vishay SI3417DV-T1-GE3
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Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SI3417DV-T1-GE3 | 3.000 | 3K | 23h | ||||||||
| Newark | SI3417DV-T1-GE3 | 5.658 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | SI3417DV-T1-GE3 | 12.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | SI3417DV-T1-GE3 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | SI3417DV-T1-GE3 | 3.000 | 3K |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Descrições
Descrições de Vishay SI3417DV-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel 30 V 29 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Surface Mount
P-Ch MOSFET TSOP-6 Copper 30V 25.2mohm @ 10V
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -4.43%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight19.986414 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance25.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.35 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation4.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max25.2 mΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time42 ns
Fichas técnicas e documentos
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