Vishay SI2333DS-T1-E3
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Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CoreStaff | ST63699856 | 2 | 1 | 12h | ||||||||
| Newark | SI2333DS-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SI2333DS-T1-E3 | 0 | 3K | 5d | ||||||||
| TTI Asia | SI2333DS-T1-E3 | Contato | 1d | |||||||||
| Farnell | SI2333DS-T1-E3 | 0 | 1 | Cut Tape | 18h |
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Stock
271,450
394,143
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
-12 V
-
Continuous Drain Current (ID)
4.1 A
4 A
Threshold Voltage
-1 V
-
Rds On Max
32 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
-
Power Dissipation
750 mW
-
Input Capacitance
1.1 nF
-
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-12-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13
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Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Surface Mount
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MOSFET, P CH, -12V, -7.1A, TO-236-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous D
Descrições
Descrições de Vishay SI2333DS-T1-E3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel 12 V 0.032 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
MOSFET, POWER, P-CH, VDSS -12V, RDS(ON) 0.025OHM, ID -4.1A, TO-236 (SOT-23),PD 0.75W
12V 4.1A 750mW 32m´Î@4.5V5.3A 1V@250Ã×A P Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 12V, 0.032ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET, P, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.3A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):32mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; Power Dissipation Pd:1.25W; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; Current Id Max:-4.1A; Package / Case:SOT-23; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-12V; Voltage Vgs Max:-1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance32 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation750 mW
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation750 mW
Rds On Max32 mΩ
Resistance32 mΩ
Rise Time45 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade