Vishay SI2304BDS-T1-GE3
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Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SI2304BDS-T1-GE3 | 3.000 | 3K | 1d | ||||||||
| DigiKey | SI2304BDS-T1-GE3CT-ND | 564 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI2304BDS-T1-GE3 | 0 | 3 | 33m | ||||||||
| Mouser | 781-SI2304BDS-T1-GE3 | 399.166 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Microchip USA | SI2304BDS-T1-GE3 | 350 | 3K | 1d |
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1,035,295
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4
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
2.6 A
2.6 A
Threshold Voltage
2.25 V
1.5 V
Rds On Max
70 mΩ
70 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
750 mW
750 mW
Input Capacitance
225 pF
225 pF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13
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Diodes Inc.DMP3160L-7
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Diodes Inc.DMN3200U-7
Single N-Channel 30 V 200 mOhm 650 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Diodes Inc.ZXMN3A14FTA
ZXMN3A14 Series 30 V 0.065 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
Descrições
Descrições de Vishay SI2304BDS-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 30 V 0.07 Ohm 0.75 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
750mW(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 4nC@ 5 V 1N 30V 70m¦¸@ 2.5A,10V 2.6A 225pF@15V SOT-23-3,TO-236 1.12mm
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
30V 3.2A 750mW 70m´Î@10V2.5A 3V@250Ã×A N Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.2A, TO-236; Tra; N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.2A, TO-236; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):105mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:3
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance225 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation750 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation750 mW
Rds On Max70 mΩ
Resistance70 mΩ
Rise Time12.5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.25 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time7.5 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade