Vishay SI2301CDS-T1-E3
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SI2301CDS-T1-E3 | 6.000 | 3K | 5d | ||||||||
| Newark | SI2301CDS-T1-E3 | 2.948 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | SI2301CDS-T1-E3 | 6.000 | 3K | |||||||||
| Verical | SI2301CDS-T1-E3 | 6.000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | SI2301CDS-T1-E3 | 60.000 | 3K | Tape & Reel |
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6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-20 V
Continuous Drain Current (ID)
3.1 A
3.1 A
Threshold Voltage
-1 V
-1 V
Rds On Max
65 mΩ
112 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
860 mW
1.6 W
Input Capacitance
405 pF
405 pF
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DMP2160U Series 20 V 80 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Descrições
Descrições de Vishay SI2301CDS-T1-E3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
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Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance112 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance405 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation860 mW
Rds On Max65 mΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade