Vishay SI1012X-T1-GE3
$ 0.196
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | SI1012X-T1-GE3 | 55 | 40 | |||||||||
| Arrow Electronics | SI1012X-T1-GE3 | 55 | 1 | |||||||||
| TTI Asia | SI1012X-T1-GE3 | Contato | 16h | |||||||||
| element14 APAC | SI1012X-T1-GE3 | 0 | 3K | Cut Tape | 14h | |||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | SI1012X-T1-GE3 | 93.770 | 1 | Tape & Reel | 1d |
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-02-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-03
LTD Date2025-05-03
Descrições
Descrições de Vishay SI1012X-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 20 V 0.7 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SC-89
MOSFET, POWER;N-CH;VDSS 20V;RDS(ON) 0.41OHM;ID 500MA;SC-89 (SOT-490);HALOGEENFREE
N-CHANNEL 1.8 V (G-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N CHANNEL MOSFET, 20V, 500mA, SC-89; Tra; N CHANNEL MOSFET, 20V, 500mA, SC-89; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:600mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):700mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:6V; Threshold Voltage Vgs:900mV
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight29.993795 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)500 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance700 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)6 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation275 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation250 mW
Rds On Max700 mΩ
Resistance700 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage900 mV
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height800 µm
Length1.7 mm
Width950 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade