onsemi FDY4000CZ
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-09-05
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2024-04-06
LTD Date2024-10-06
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Descrições
Descrições de onsemi FDY4000CZ fornecidas pelos seus distribuidores.
Complementary N & P-Channel PowerTrench® MOSFET 20V
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET
SC89-6, COMP,NCH & PCH POWER TRENCH MOSFET
MOSFET N/P-CH 20V 600/350 SC89-6
Sc89-6 Comp N&P Ch Er T Rohs Compliant: Yes
TRANS DUAL NPFET 20V 0.3A LF SC89-6
This Complementary N & P-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process to optimize the RDS(ON) at VGS=2.5V and specify the RDS(ON) at VGS = 1.8V.
MOSFET, DUAL, NP, SC89-6; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:600mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):700mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:600mV; Power Dissipation Pd:625mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SC-89; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:100pF; Cont Current Id N Channel:0.6A; Cont Current Id P Channel:350mA; Current Id Max:600mA; On State Resistance Channel 1:700mohm; On State Resistance P Channel 2:1.2ohm; Package / Case:SC-89; Pin Configuration:S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1); Power Dissipation Pd:625mW; Power Dissipation Pd:625mW; Pulse Current Idm:1A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Max:1.5V; Voltage Vgs th Min:1V
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight32 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)600 mA
Current Rating600 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance700 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance60 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation446 mW
Rds On Max700 mΩ
Resistance700 MΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage600 mV
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height700 µm
Length1.6 mm
Width1.2 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade