Vishay IRLD110PBF
$ 1.136
Obsolete
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Vishay IRLD110PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 100 V 0.54 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
Transistor: N-Mosfet; Unipolar; 100V; 0.7A; 1.3W; Dip4
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | Siliconix / Vishay IRLD110PBF
POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, LOGIC, HEXDIP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):540mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:1A; Package / Case:HEXDIP; Power Dissipation Pd:1.3W; Power Dissipation Pd:1.3W; Pulse Current Idm:8A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:10V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDIP
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 mA
Current Rating1 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance540 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time47 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance250 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max540 mΩ
Resistance540 mΩ
Rise Time47 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time9.3 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height3.37 mm
Length5 mm
Width6.29 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade