Vishay IRFU9014PBF
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Tendência de 3 meses: +6.75%
Modelos CAD
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Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de Vishay IRFU9014PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel 60 V 0.5 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
MOSFET, POWER, P-CH, VDSS -60V, RDS(ON) 0.5OHM, ID -5.1A, TO-251AA, PD 2.5W, VGS +/-20V
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
MOSFET, P, -60V, -5.1A, I-PAK; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 5.6A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -4V; Power
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +6.75%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance500 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance270 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max500 mΩ
Resistance500 mΩ
Rise Time63 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time9.6 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height6.22 mm
Lead Length9.65 mm
Length6.73 mm
Width2.39 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade