Vishay IRFU320PBF
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6
2
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-251-3
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
-
Continuous Drain Current (ID)
3.1 A
3.1 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
1.8 Ω
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
-
-
Input Capacitance
350 pF
-
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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STMicroelectronicsSTD5NK40Z-1
STD5NK40Z-1 N-channel MOSFET Transistor, 3 A, 400 V, 3-Pin TO-251
InfineonIPU50R2K0CEBKMA1
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrições
Descrições de Vishay IRFU320PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 400 V 1.8 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 400V, RDS(ON) 1.8 OHMS, ID 3.1A, TO-251AA, PD 2.5W, VGS+/-20V
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:400V; Continuous Drain Current, Id:3.1A; On Resistance, Rds(on):1.8ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:I-PAK ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, 400V, 3.1A, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.1A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):1.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:42W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:I-PAK; Current Id Max:3.1A; Fall Time tf:13ns; Junction to Case Thermal Resistance A:3°C/W; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:42W; Power Dissipation Pd:42W; Pulse Current Idm:12A; Rise Time:14ns; Termination Type:Through Hole; Turn Off Time:30ns; Turn On Time:10ns; Voltage Vds Typ:400V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.1 A
Current Rating3.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance1.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance350 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Rds On Max1.8 Ω
Resistance1.8 Ω
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Height6.22 mm
Length6.73 mm
Width2.38 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade