Vishay IRFR1N60APBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-12-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTD1NK60T4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTD1HN60K3
N-channel 600 V, 6.4 Ohm typ., 1.2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package
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onsemiFQD2N60CTF
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrições
Descrições de Vishay IRFR1N60APBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 600 V 7 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:1.4A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:36W; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: No
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.4 A
Current18 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Dual Supply Voltage600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance229 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation36 W
Rds On Max7 Ω
Recovery Time440 ns
Resistance7 Ω
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time9.8 ns
Voltage650 V
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade