onsemi FQD1N60CTM
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Descrições
Descrições de onsemi FQD1N60CTM fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 1 A, 11.5 Ω, DPAK
N-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3
MOSFET, N CH, 600V, 9.3OHM, 1A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):9.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:28W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Current Rating1 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance11.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance170 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation28 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max11.5 Ω
Resistance11.5 Ω
Rise Time21 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade