Vishay IRFP150
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Price @ 1000
$ 1.952
Stock
43,586
182,814
Authorized Distributors
0
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247-3
TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vds)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
41 A
41 A
Threshold Voltage
-
2 V
Rds On Max
55 mΩ
55 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
230 W
230 W
Input Capacitance
2.8 nF
2.8 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Descrições
Descrições de Vishay IRFP150 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 100V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247
IRFP150,100V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A SO-8
Advanced Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 41A TO-247AC
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)41 A
Current Rating41 A
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time81 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation230 W
Rds On Max55 mΩ
Rise Time120 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSNon-Compliant
Declarações de conformidade