Vishay IRFL9014TRPBF-BE3
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1,894,249
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223
SOT-223
SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss)
-60 V
-60 V
-60 V
Continuous Drain Current (ID)
1.8 A
1.8 A
1.8 A
Threshold Voltage
-
-2 V
-2 V
Rds On Max
-
500 mΩ
500 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Input Capacitance
-
270 pF
270 pF
Descrições
Descrições de Vishay IRFL9014TRPBF-BE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET P-Channel 60V 1.8A 4-Pin SOT-223
2W(Ta),3.1W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 12nC@ 10 V 1P 60V 500m¦¸@ 1.1A,10V 1.8A 270pF@25V SOT-223
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
Mosfet, P-Ch, 60V, 1.8A, Sot-223; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:1.8A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Vishay IRFL9014TRPBF-BE3
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -3.31%
Modelos CAD
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Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance500 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Turn-Off Delay Time9.6 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Fichas técnicas e documentos
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