Vishay IRFIZ34GPBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-06-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-04
LTD Date2025-05-04
Peças relacionadas
InfineonIRFIZ34NPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package, FULLPAK220-3, RoHS
Descrições
Descrições de Vishay IRFIZ34GPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 60 V 0.05 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220 FULLPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP / MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
60V 20A 50m´Î@10V12A 42W 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
N CHANNEL MOSFET, 60V, 20A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold V
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -14.29%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation42 W
Rds On Max50 mΩ
Resistance50 mΩ
Rise Time100 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade