Vishay IRFIBE30GPBF
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTP3NK60ZFP
N-CHANNEL 600V - 3.3 Ohm - 2.4A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ PowerMOSFET
Descrições
Descrições de Vishay IRFIBE30GPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 800 V 3 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
VISHAY IRFIBE30GPBF Power MOSFET, N Channel, 2.1 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
800V 2.1A 35W 3´Î@10V1.3A 4V@250Ã×A N Channel TO-220F(TO-220IS) MOSFETs ROHS
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:2.1A; On Resistance Rds(On):3Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: No
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation35 W
Rds On Max3 Ω
Resistance3 Ω
Rise Time33 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time82 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade