STMicroelectronics STP3NK60ZFP
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTF2HNK60Z
N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP3NK60ZFP fornecidas pelos seus distribuidores.
N-CHANNEL 600V - 3.3 Ohm - 2.4A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ PowerMOSFET
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube / MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220FP
STP3NK60ZFP N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.4 A, 600 V, 3-PIN TO-220FP
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.4A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 3.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipat
Mosfet, N Ch, 600V, 2.4A, To-220Fp; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:2.4A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):3.3Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STP3NK60ZFP
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Tendência de 3 meses: -1.19%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight9.071847 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance3.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance311 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation20 W
Rds On Max3.6 Ω
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant