Vishay IRFI820GPBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-04
LTD Date2025-05-04
Peças relacionadas
VishayIRFI720GPBF
Single N-Channel 400 V 1.8 Ohm 20 nC 30 W Silicon Flange Mount Mosfet - TO-220-3
STMicroelectronicsSTP3NK60ZFP
N-CHANNEL 600V - 3.3 Ohm - 2.4A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ PowerMOSFET
Descrições
Descrições de Vishay IRFI820GPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 500 V 3 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Avnet Japan
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, 500V, 2.1A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.1A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 3ohm; Rds; Available until stocks are exhausted Alternative available
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance360 pF
Isolation Voltage2000 Vrms
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation30 W
Rds On Max3 Ω
Recovery Time520 ns
Resistance3 Ω
Rise Time8.6 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade