Vishay IRFI630GPBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Peças relacionadas
VishayIRFI9630GPBF
P-Ch MOSFET 200V 4.3A 800mΩ@2.6A,10V 700pF@25V TO-220-3 TH 10.41mm × 4.7mm × 15.49mm
VishayIRFI9640GPBF
Single P-Channel 200 V 0.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220 FULLPAK
Descrições
Descrições de Vishay IRFI630GPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 200 V 0.4 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Avnet Japan
MOSFET, N, 200V, 5.9A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.9A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance800 pF
Isolation Voltage2500 Vrms
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation35 W
Rds On Max400 mΩ
Recovery Time340 ns
Resistance400 mΩ
Rise Time28 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time9.4 ns
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade