Vishay IRF9Z34PBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF9Z34NPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -19A;TO-220AB;PD 68W;VGS +/-20V
InfineonIRFB4020PBF
200V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Descrições
Descrições de Vishay IRF9Z34PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel 60 V 0.14 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB | Siliconix / Vishay IRF9Z34PBF
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, P, -60V, -18A, TO-220; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 18A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.14ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -4V; Power
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Tendência de 3 meses: -5.86%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time58 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation88 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation88 W
Rds On Max140 mΩ
Resistance140 mΩ
Rise Time120 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade