Vishay IRF9620SPBF
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6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
TO-263-3
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vds)
-
-
-
Continuous Drain Current (ID)
2.5 A
2.5 A
2.5 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
1.5 Ω
1.5 Ω
1.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
-
-
-
Input Capacitance
350 pF
350 pF
350 pF
Peças relacionadas
VishayIRF620STRLPBF
3W(Ta) 50W(Tc) 20V 4V@250µA 14nC@10V N-Ch MOSFET 200V 800mΩ@3.1A,10V 5.2A 260pF@25V D2PAK SMD
InfineonBUZ30AH3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Descrições
Descrições de Vishay IRF9620SPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet; Transistor Type:Mosfet; Transist |Vishay IRF9620SPBF
Trans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
3W(Ta), 40W(Tc) 20V 4V@250µA 22nC@10V P-Ch 200V 1.5Ω@1.5A,10V 3.5A 350pF@25V TO-263 SMD
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-200 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance350 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade