Vishay IRF510PBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Peças relacionadas
InfineonIRF520NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID 9.7A;TO-220AB;PD 48W;VGS +/-20V
InfineonIRF540NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;TO-220AB;PD 130W;-55deg
Descrições
Descrições de Vishay IRF510PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 100 V 0.54 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Through Hole
Vishay N channel power MOSFET, 100 V, 5.6 A, TO-220, IRF510PBF
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, 100V, 5.6A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.6A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.54ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.6 A
Current Rating5.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance540 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance180 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation43 W
Rds On Max540 mΩ
Recovery Time200 ns
Resistance540 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time6.9 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade