Vishay 2N7002E-T1-GE3
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Obsolete
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | 2N7002E-T1-GE3 | 1.990 | 19 | |||||||||
| Arrow Electronics | 2N7002E-T1-GE3 | 1.990 | 1 | |||||||||
| TME | 2N7002E-T1-GE3 | 2.701 | 1 | 13h | ||||||||
| DigiKey | 2N7002E-T1-GE3CT-ND | 19 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | 2N7002E-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 18h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Stock
1,058,433
1,532,852
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
240 mA
240 mA
Threshold Voltage
2 V
2 V
Rds On Max
3 Ω
3 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
350 mW
350 mW
Input Capacitance
21 pF
21 pF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-10-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
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VishaySQ2351ES-T1_GE3
SQ2351ES Series P-Channel 20 V 0.115 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
Descrições
Descrições de Vishay 2N7002E-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
2N7002E Series N-Channel 60 V 3 Ohm 0.35 W Surface Mount Mosfet - SOT-23-3
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.24A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)240 mA
Drain to Source Breakdown Voltage68 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance21 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation350 mW
Rds On Max3 Ω
Resistance3 Ω
Schedule B8541210080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade