Texas Instruments CSD87502Q2T
$ 0.476
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Distribuidor
SKU
Mín.
Embalagem
Preço em massa
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -66.30%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Texas Instruments CSD87502Q2T.
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Texas Instruments CSD87502Q2T direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Recursos de engenharia
Veja kits de avaliação e designs de referência de Texas Instruments CSD87502Q2T.
Peças relacionadas
InfineonIRLML0030TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 27ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Diodes Inc.DMN3404L-7
N-Channel 30 V 28 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Descrições
Descrições de Texas Instruments CSD87502Q2T fornecidas pelos seus distribuidores.
Dual N-Ch MOSFET 30V 5A 2.3W 32.4mΩ@4A,10V 353pF@15V 2V@250µA 6nC@10V SON SMD 2mm × 2mm × 750μm
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual SON 2 mm x 2, 42 mOhm, gate ESD protection 6-WSON -55 to 150
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON / Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2.3W Surface Mount 6-WSON (2x2)
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WSON EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Csd87502Q2T Rohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD87502Q2T
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, WSON-6
6-Terminal Dual Synchronous Power Module
MOS Power Transistors LV (< 200V)
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, WSON-6; Polarité transistor: Double canal N; Courant de drain Id: 5A; Tension Vds max..: 30V; Résistance Rds(on): 0.027ohm; Tension, mesure Rds: 10V; Tension de seuil Vgs: 1.6V; Dissipation de puissance
Nomes alternativos do fabricante
Texas Instruments possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Texas Instruments também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -66.30%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance27 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance353 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max32.4 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height800 µm
Length2 mm
Thickness750 µm
Width2 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Texas Instruments CSD87502Q2T.
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade